MOSFET N STMicroelectronics 3 A 400 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 SuperMESH

Voir la catégorie

Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*

947,50 €

HT

1 137,50 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 26 août 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
2500 +0,379 €947,50 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:
151-929
Référence fabricant:
STD5NK40ZT4
Marque:
STMicroelectronics
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

STMicroelectronics

Type de canal

Type N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

3A

Tension Drain Source maximum Vds

400V

Type de Boitier

TO-252

Série

SuperMESH

Type de montage

Surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

1.8Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

1.6V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

11.7nC

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

2.4mm

Normes/homologations

RoHS

Longueur

10.1mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN
Le MOSFET de puissance de STMicroelectronics a été développé à l'aide de la technologie Super MESH, obtenue grâce à l'optimisation d'une disposition Power MESH basée sur une bande bien établie. En plus d'une réduction significative de la résistance, ce dispositif est conçu pour garantir un haut niveau de capacité dv/dt pour les applications les plus exigeantes.

100 % testé contre les avalanches

Charge de grille minimisée

Très faible capacité intrinsèque

Protégé Zener

Nos clients ont également consulté