MOSFET canal N STMicroelectronics 3 A 400 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 SuperMESH

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Options de conditionnement :
Code commande RS:
151-930
Référence fabricant:
STD5NK40ZT4
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

3A

Tension Drain Source maximum Vds

400V

Type de Boitier

TO-252

Série

SuperMESH

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

1.8Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

30V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

11.7nC

Tension directe Vf

1.6V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

RoHS

Largeur

6.6mm

Longueur

10.1mm

Hauteur

2.4mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN
Le MOSFET de puissance de STMicroelectronics a été développé à l'aide de la technologie Super MESH, obtenue grâce à l'optimisation d'une disposition Power MESH basée sur une bande bien établie. En plus d'une réduction significative de la résistance, ce dispositif est conçu pour garantir un haut niveau de capacité dv/dt pour les applications les plus exigeantes.

100 % testé contre les avalanches

Charge de grille minimisée

Très faible capacité intrinsèque

Protégé Zener

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