MOSFET N STMicroelectronics 3 A 400 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 SuperMESH
- Code commande RS:
- 151-930
- Référence fabricant:
- STD5NK40ZT4
- Marque:
- STMicroelectronics
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Unité | Prix par unité | le ruban* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | 1,113 € | 22,26 € |
| 200 - 480 | 1,056 € | 21,12 € |
| 500 - 980 | 0,979 € | 19,58 € |
| 1000 - 1980 | 0,90 € | 18,00 € |
| 2000 + | 0,868 € | 17,36 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 151-930
- Référence fabricant:
- STD5NK40ZT4
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 3A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 400V | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Série | SuperMESH | |
| Type de montage | Surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 1.8Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Tension directe Vf | 1.6V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 11.7nC | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Longueur | 10.1mm | |
| Hauteur | 2.4mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 3A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 400V | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Série SuperMESH | ||
Type de montage Surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 1.8Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Tension directe Vf 1.6V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 11.7nC | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Longueur 10.1mm | ||
Hauteur 2.4mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le MOSFET de puissance de STMicroelectronics a été développé à l'aide de la technologie Super MESH, obtenue grâce à l'optimisation d'une disposition Power MESH basée sur une bande bien établie. En plus d'une réduction significative de la résistance, ce dispositif est conçu pour garantir un haut niveau de capacité dv/dt pour les applications les plus exigeantes.
100 % testé contre les avalanches
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Protégé Zener
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