MOSFET canal N STMicroelectronics 3 A 400 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 SuperMESH
- Code commande RS:
- 151-930
- Référence fabricant:
- STD5NK40ZT4
- Marque:
- STMicroelectronics
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|---|---|---|
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| 200 - 480 | 1,055 € | 21,10 € |
| 500 + | 0,828 € | 16,56 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 151-930
- Référence fabricant:
- STD5NK40ZT4
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 3A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 400V | |
| Série | SuperMESH | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 1.8Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 11.7nC | |
| Tension directe Vf | 1.6V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Hauteur | 2.4mm | |
| Longueur | 10.1mm | |
| Largeur | 6.6mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 3A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 400V | ||
Série SuperMESH | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 1.8Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 11.7nC | ||
Tension directe Vf 1.6V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Hauteur 2.4mm | ||
Longueur 10.1mm | ||
Largeur 6.6mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le MOSFET de puissance de STMicroelectronics a été développé à l'aide de la technologie Super MESH, obtenue grâce à l'optimisation d'une disposition Power MESH basée sur une bande bien établie. En plus d'une réduction significative de la résistance, ce dispositif est conçu pour garantir un haut niveau de capacité dv/dt pour les applications les plus exigeantes.
100 % testé contre les avalanches
Charge de grille minimisée
Très faible capacité intrinsèque
Protégé Zener
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