MOSFET N STMicroelectronics 3 A 800 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 SuperMESH

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Code commande RS:
151-899
Référence fabricant:
STD4NK80ZT4
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de canal

Type N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

3A

Tension Drain Source maximum Vds

800V

Série

SuperMESH

Type de Boitier

TO-252

Type de montage

Surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

3.5Ω

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Tension directe Vf

1.6V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

22.5nC

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

RoHS

Longueur

10.1mm

Hauteur

2.4mm

Standard automobile

Non

Le MOSFET de puissance de STMicroelectronics est un dispositif haute tension avec canal N protégé Zener développé à l'aide de la technologie SuperMESH, une optimisation du PowerMESH bien établi. En plus d'une réduction significative de la résistance sous tension, ce dispositif est conçu pour garantir un haut niveau de capacité dv/dt pour les applications les plus exigeantes.

Charge de grille minimisée

Très faible capacité intrinsèque

Protégé par Zener

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