MOSFET canal N STMicroelectronics 3 A 800 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 SuperMESH
- Code commande RS:
- 151-899
- Référence fabricant:
- STD4NK80ZT4
- Marque:
- STMicroelectronics
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | 0,787 € | 1 967,50 € |
| 5000 + | 0,747 € | 1 867,50 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 151-899
- Référence fabricant:
- STD4NK80ZT4
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 3A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 800V | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Série | SuperMESH | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 3.5Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 22.5nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Tension directe Vf | 1.6V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 2.4mm | |
| Longueur | 10.1mm | |
| Largeur | 6.6mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 3A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 800V | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Série SuperMESH | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 3.5Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 22.5nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Tension directe Vf 1.6V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 2.4mm | ||
Longueur 10.1mm | ||
Largeur 6.6mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le MOSFET de puissance de STMicroelectronics est un dispositif haute tension avec canal N protégé Zener développé à l'aide de la technologie SuperMESH, une optimisation du PowerMESH bien établi. En plus d'une réduction significative de la résistance sous tension, ce dispositif est conçu pour garantir un haut niveau de capacité dv/dt pour les applications les plus exigeantes.
Charge de grille minimisée
Très faible capacité intrinsèque
Protégé par Zener
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