MOSFET N STMicroelectronics 2 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 SuperMESH

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Code commande RS:
151-934
Référence fabricant:
STD2HNK60Z
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

2A

Tension Drain Source maximum Vds

600V

Série

SuperMESH

Type de Boitier

TO-252

Type de montage

Surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

4.8Ω

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

11nC

Tension directe Vf

1.6V

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

2.4mm

Normes/homologations

RoHS

Longueur

10.1mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN
Le MOSFET de puissance de STMicroelectronics a été développé à l'aide de la technologie Super MESH, obtenue grâce à l'optimisation d'une disposition Power MESH basée sur une bande bien établie. En plus d'une réduction significative de la résistance, ce dispositif est conçu pour garantir un haut niveau de capacité dv/dt pour les applications les plus exigeantes.

100 % testé contre les avalanches

Charge de grille minimisée

Très faible capacité intrinsèque

Protégé Zener

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