MOSFET canal N STMicroelectronics 2 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 SuperMESH
- Code commande RS:
- 151-934
- Référence fabricant:
- STD2HNK60Z
- Marque:
- STMicroelectronics
Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*
1 247,50 €
HT
1 497,50 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,499 € | 1 247,50 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 151-934
- Référence fabricant:
- STD2HNK60Z
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 2A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 600V | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Série | SuperMESH | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 4.8Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 11nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Tension directe Vf | 1.6V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 10.1mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Largeur | 6.6mm | |
| Hauteur | 2.4mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 2A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 600V | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Série SuperMESH | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 4.8Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 11nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Tension directe Vf 1.6V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 10.1mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Largeur 6.6mm | ||
Hauteur 2.4mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le MOSFET de puissance de STMicroelectronics a été développé à l'aide de la technologie Super MESH, obtenue grâce à l'optimisation d'une disposition Power MESH basée sur une bande bien établie. En plus d'une réduction significative de la résistance, ce dispositif est conçu pour garantir un haut niveau de capacité dv/dt pour les applications les plus exigeantes.
100 % testé contre les avalanches
Charge de grille minimisée
Très faible capacité intrinsèque
Protégé Zener
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