MOSFET canal N STMicroelectronics 4 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 SuperMESH
- Code commande RS:
- 151-439
- Référence fabricant:
- STD4NK60ZT4
- Marque:
- STMicroelectronics
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | 0,624 € | 1 560,00 € |
| 5000 + | 0,615 € | 1 537,50 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 151-439
- Référence fabricant:
- STD4NK60ZT4
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 4A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 600V | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Série | SuperMESH | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 2Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 18.8nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 1.6V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 2.39mm | |
| Largeur | 6.73mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Longueur | 10.34mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 4A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 600V | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Série SuperMESH | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 2Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 18.8nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 1.6V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 2.39mm | ||
Largeur 6.73mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Longueur 10.34mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le MOSFET de puissance de STMicroelectronics a été développé à l'aide de la technologie Super MESH, obtenue grâce à l'optimisation d'une disposition Power MESH bien établie. En plus d'une réduction significative de la résistance, ce dispositif est conçu pour garantir un haut niveau de capacité dv/dt pour les applications les plus exigeantes.
100 % testé contre les avalanches
Charge de grille minimisée
Très faible capacité intrinsèque
Protégé Zener
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