MOSFET STMicroelectronics canal N, DPAK (TO-252) 1 A 600 V, 3 broches

Code commande RS:: 687-5181
Référence fabricant:: STD1NK60T4
Marque:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics canal N, DPAK (TO-252) 1 A 600 V, 3 broches

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Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	1 A
Tension Drain Source maximum	600 V
Série	MDmesh, SuperMESH
Type de boîtier	DPAK (TO-252)
Type de montage	CMS
Nombre de broches	3
Résistance Drain Source maximum	8,5 Ω
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	3.7V
Tension de seuil minimale de la grille	2.25V
Dissipation de puissance maximum	30 W
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-30 V, +30 V
Largeur	6.2mm
Charge de Grille type @ Vgs	7 nC @ 10 V
Nombre d'éléments par circuit	1
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Longueur	6.6mm
Matériau du transistor	Si
Température de fonctionnement minimum	-55 °C
Hauteur	2.4mm

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