MOSFET canal N STMicroelectronics 1 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 MDmesh, SuperMESH

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Code commande RS:
687-5181
Référence fabricant:
STD1NK60T4
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

1A

Tension Drain Source maximum Vds

600V

Type de Boitier

TO-252

Série

MDmesh, SuperMESH

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

8.5Ω

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

7nC

Dissipation de puissance maximum Pd

30W

Tension maximale de source de la grille Vgs

-30V, +30V

Tension directe Vf

1.6V

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

2.4mm

Longueur

6.6mm

Normes/homologations

No

Largeur

6.2mm

Standard automobile

Non

Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 250 V à 650 V, STMicroelectronics


Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics


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