MOSFET N STMicroelectronics 2.3 A 500 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 MDmesh, SuperMESH

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Code commande RS:
687-5178
Référence fabricant:
STD3NK50ZT4
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

2.3A

Tension Drain Source maximum Vds

500V

Type de Boitier

TO-252

Série

MDmesh, SuperMESH

Type de montage

Surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

3.3Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

1.6V

Dissipation de puissance maximum Pd

45W

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

11nC

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

2.4mm

Normes/homologations

No

Longueur

6.6mm

Standard automobile

Non

Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 250 V à 650 V, STMicroelectronics


Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics


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