MOSFET P Microchip 60 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 TP0610T
- Code commande RS:
- 333-219
- Référence fabricant:
- TP0610T-G
- Marque:
- Microchip
Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*
2 487,00 €
HT
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,829 € | 2 487,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 333-219
- Référence fabricant:
- TP0610T-G
- Marque:
- Microchip
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Microchip | |
| Type de canal | Type P | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Type de Boitier | SOT-23 | |
| Série | TP0610T | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Microchip | ||
Type de canal Type P | ||
Type de produit MOSFET | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Type de Boitier SOT-23 | ||
Série TP0610T | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
Le MOSFET de Microchip est un transistor à faible seuil, à mode d'amélioration, qui utilise une structure DMOS verticale et un processus de fabrication de la grille en silicium qui a fait ses preuves. Cette combinaison produit un circuit avec des capacités de gestion de la puissance de transistors bipolaires et avec la haute impédance d'entrée et le coefficient de température positif inhérents aux circuits MOS. Les FET DMOS verticaux conviennent parfaitement à une large gamme d'applications de commutation et d'amplification pour lesquelles une tension de seuil très basse, une tension de claquage élevée, une impédance d'entrée élevée, une faible capacité d'entrée et des vitesses de commutation rapides sont souhaitées.
Seuil bas
Impédance d'entrée élevée
Faible capacité d'entrée
Vitesses de commutation rapides
Faible résistance à l'état passant
Absence de dégradation secondaire
Faibles fuites à l'entrée et à la sortie
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