MOSFET canal N Infineon 100 A 40 V Enrichissement, 8 broches, PG-TDSON-8-33 OptiMOS-TM7 AEC-Q101
- Code commande RS:
- 349-290
- Référence fabricant:
- IAUCN04S7L028ATMA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 paquet de 20 unités)*
18,72 €
HT
22,46 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
- Plus 5 000 unité(s) expédiée(s) à partir du 05 octobre 2026
- Plus 5 000 unité(s) expédiée(s) à partir du 19 novembre 2026
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | 0,936 € | 18,72 € |
| 200 - 480 | 0,889 € | 17,78 € |
| 500 + | 0,823 € | 16,46 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 349-290
- Référence fabricant:
- IAUCN04S7L028ATMA1
- Marque:
- Infineon
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 100A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 40V | |
| Type de Boitier | PG-TDSON-8-33 | |
| Série | OptiMOS-TM7 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 4.25mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 18nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 58W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 16V | |
| Tension directe Vf | 800mV | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS, AEC-Q101 | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 100A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 40V | ||
Type de Boitier PG-TDSON-8-33 | ||
Série OptiMOS-TM7 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 4.25mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 18nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 58W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 16V | ||
Tension directe Vf 800mV | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS, AEC-Q101 | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Transistor MOSFET série IAU d'Infineon, courant de drain continu maximal de 100 A, tension de source de drain maximale de 40 V - IAUCN04S7L028ATMA1
Caractéristiques et avantages
Applications
Quelles conditions de fonctionnement peuvent prendre en charge efficacement ce dispositif?
Comment la tension nominale de contact affecte-t-elle ses performances?
Quels types de configurations de montage ce dispositif prend-il en charge?
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N Infineon 139 A 40 V Enrichissement PG-TDSON-8-33 OptiMOS-TM7 AEC-Q101
- MOSFET canal N Infineon 144 A 40 V Enrichissement PG-TDSON-8-33 OptiMOS-TM7 AEC-Q101
- MOSFET canal N Infineon 120 A 80 V Enrichissement PG-TDSON-8-34 OptiMOS-TM7 AEC-Q101
- MOSFET canal N Infineon 370 A 40 V Enrichissement PG-TDSON-8-43 OptiMOS-TM7 AEC-Q101
- MOSFET canal N Infineon 518 A 40 V Enrichissement PG-TDSON-8-53 OptiMOS-TM7 AEC-Q101
- MOSFET canal N Infineon 179 A 40 V Enrichissement PG-TDSON-8-34 OptiMOS-TM7 AEC-Q101
- MOSFET canal N Infineon 414 A 40 V Enrichissement PG-TDSON-8-43 OptiMOS-TM7 AEC-Q101
- MOSFET canal N Infineon 200 A 80 V Enrichissement PG-TDSON-8-43 OptiMOS-TM7 AEC-Q101
