MOSFET Canal N canal N STMicroelectronics 79 A 600 V, 8 broches, TO-LL STO60 Non
- Code commande RS:
- 358-978
- Référence fabricant:
- STO60N030M9
- Marque:
- STMicroelectronics
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- Code commande RS:
- 358-978
- Référence fabricant:
- STO60N030M9
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Fréquence de fonctionnement | 1MHz | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 79A | |
| Puissance de sortie | 255W | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 600V | |
| Type de Boitier | TO-LL | |
| Série | STO60 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Configuration du transistor | Canal N | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Largeur | 11.88mm | |
| Hauteur | 2.4mm | |
| Longueur | 10mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Fréquence de fonctionnement 1MHz | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 79A | ||
Puissance de sortie 255W | ||
Tension Drain Source maximum Vds 600V | ||
Type de Boitier TO-LL | ||
Série STO60 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Configuration du transistor Canal N | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Largeur 11.88mm | ||
Hauteur 2.4mm | ||
Longueur 10mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- MY
Le MOSFET de puissance à canal N de STMicroelectronics est basé sur la technologie à superjonction MDmesh M9 la plus innovante, adaptée aux MOSFET à moyenne/haute tension. La technologie M9 à base de silicium bénéficie d'un processus de fabrication multi-drain qui permet d'améliorer la structure du dispositif. Le produit qui en résulte présente l'une des plus faibles résistances à l'enclenchement et des valeurs de charge de grille réduites parmi tous les MOSFET de puissance à superjonction à commutation rapide à base de silicium, ce qui le rend particulièrement adapté aux applications qui nécessitent une densité de puissance supérieure et une efficacité exceptionnelle.
Très faible facteur de mérite (FdM)
Cote VDSS plus élevée
Capacité dv/dt plus élevée
Manipulation facile
100 % testé contre les avalanches
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