MOSFET Canal N canal N STMicroelectronics 79 A 600 V, 8 broches, TO-LL STO60 Non
- Code commande RS:
- 358-978
- Référence fabricant:
- STO60N030M9
- Marque:
- STMicroelectronics
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- Code commande RS:
- 358-978
- Référence fabricant:
- STO60N030M9
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Fréquence de fonctionnement | 1MHz | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 79A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 600V | |
| Puissance de sortie | 255W | |
| Type de Boitier | TO-LL | |
| Série | STO60 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Configuration du transistor | Canal N | |
| Largeur | 11.88mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Longueur | 10mm | |
| Hauteur | 2.4mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Fréquence de fonctionnement 1MHz | ||
Courant continu de Drain maximum Id 79A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 600V | ||
Puissance de sortie 255W | ||
Type de Boitier TO-LL | ||
Série STO60 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Configuration du transistor Canal N | ||
Largeur 11.88mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Longueur 10mm | ||
Hauteur 2.4mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- MY
Le MOSFET de puissance à canal N de STMicroelectronics est basé sur la technologie à superjonction MDmesh M9 la plus innovante, adaptée aux MOSFET à moyenne/haute tension. La technologie M9 à base de silicium bénéficie d'un processus de fabrication multi-drain qui permet d'améliorer la structure du dispositif. Le produit qui en résulte présente l'une des plus faibles résistances à l'enclenchement et des valeurs de charge de grille réduites parmi tous les MOSFET de puissance à superjonction à commutation rapide à base de silicium, ce qui le rend particulièrement adapté aux applications qui nécessitent une densité de puissance supérieure et une efficacité exceptionnelle.
Très faible facteur de mérite (FdM)
Cote VDSS plus élevée
Capacité dv/dt plus élevée
Manipulation facile
100 % testé contre les avalanches
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