MOSFET Canal N canal N STMicroelectronics 55 A 600 V, 8 broches, TO-LL STO60 Non
- Code commande RS:
- 358-979
- Référence fabricant:
- STO60N045DM9
- Marque:
- STMicroelectronics
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 358-979
- Référence fabricant:
- STO60N045DM9
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de canal | N | |
| Fréquence de fonctionnement | 1MHz | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 55A | |
| Puissance de sortie | 255W | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 600V | |
| Type de Boitier | TO-LL | |
| Série | STO60 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Configuration du transistor | Canal N | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Largeur | 10mm | |
| Hauteur | 2.4mm | |
| Longueur | 11.88mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de canal N | ||
Fréquence de fonctionnement 1MHz | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 55A | ||
Puissance de sortie 255W | ||
Tension Drain Source maximum Vds 600V | ||
Type de Boitier TO-LL | ||
Série STO60 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Configuration du transistor Canal N | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Largeur 10mm | ||
Hauteur 2.4mm | ||
Longueur 11.88mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- MY
Le MOSFET de puissance à canal N de STMicroelectronics est basé sur la technologie à superjonction MDmesh DM9 la plus innovante, adaptée aux MOSFET à moyenne/haute tension. La technologie DM9 à base de silicium bénéficie d'un processus de fabrication multi-drain qui permet d'améliorer la structure du dispositif. Avec une diode présentant une charge de récupération (Qrr), un temps (trr) et un RDS (on) très faibles, ce MOSFET de puissance à superjonction à commutation rapide est conçu pour les topologies de pont à haut rendement les plus exigeantes et les convertisseurs à déphasage ZVS.
Diode de corps à récupération rapide
Très faible facteur de mérite (FdM)
Faible capacité d'entrée et résistance
100 % testé contre les avalanches
Robustesse dv/dt extrêmement élevée
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