MOSFET canal Type N STMicroelectronics 30 A 650 V Enrichissement, 4 broches SCT Non
- Code commande RS:
- 366-221
- Référence fabricant:
- SCT040W65G3-4
- Marque:
- STMicroelectronics
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- Code commande RS:
- 366-221
- Référence fabricant:
- SCT040W65G3-4
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 30A | |
| Puissance de sortie | 240W | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Série | SCT | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 200°C | |
| Hauteur | 5.1mm | |
| Longueur | 20.1mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 30A | ||
Puissance de sortie 240W | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Série SCT | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 4 | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 200°C | ||
Hauteur 5.1mm | ||
Longueur 20.1mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le dispositif MOSFET de puissance au carbure de silicium de STMicroelectronics a été développé à partir de la technologie MOSFET SiC avancée et innovante de 3ème génération de ST. Ce dispositif se caractérise par un RDS(on) très faible sur toute la plage de températures, associé à de faibles capacités et à des opérations de commutation très élevées, qui améliorent les performances des applications en termes de fréquence, de rendement énergétique et de réduction de la taille et du poids du système.
RDS(on) très faible sur toute la plage de températures
Performances de commutation à haute vitesse
Diode à corps intrinsèque très rapide et robuste
Température de jonction de fonctionnement très élevée
Broche de détection de la source pour une efficacité accrue
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