MOSFET canal N STMicroelectronics 30 A 650 V Enrichissement, 4 broches, Hip-247-4 SCT Non
- Code commande RS:
- 366-221
- Référence fabricant:
- SCT040W65G3-4
- Marque:
- STMicroelectronics
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- Code commande RS:
- 366-221
- Référence fabricant:
- SCT040W65G3-4
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de canal | N | |
| Fréquence de fonctionnement | 1MHz | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 30A | |
| Puissance de sortie | 240W | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Type de Boitier | Hip-247-4 | |
| Série | SCT | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 200°C | |
| Hauteur | 5.1mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Longueur | 20.1mm | |
| Largeur | 15.9mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de canal N | ||
Fréquence de fonctionnement 1MHz | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 30A | ||
Puissance de sortie 240W | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Type de Boitier Hip-247-4 | ||
Série SCT | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 4 | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 200°C | ||
Hauteur 5.1mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Longueur 20.1mm | ||
Largeur 15.9mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le dispositif MOSFET de puissance au carbure de silicium de STMicroelectronics a été développé à partir de la technologie MOSFET SiC avancée et innovante de 3ème génération de ST. Ce dispositif se caractérise par un RDS(on) très faible sur toute la plage de températures, associé à de faibles capacités et à des opérations de commutation très élevées, qui améliorent les performances des applications en termes de fréquence, de rendement énergétique et de réduction de la taille et du poids du système.
RDS(on) très faible sur toute la plage de températures
Performances de commutation à haute vitesse
Diode à corps intrinsèque très rapide et robuste
Température de jonction de fonctionnement très élevée
Broche de détection de la source pour une efficacité accrue
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