Mosfet SiC sans diode canal Commutateur simple Starpower 64 A 1200 V N, 4 broches, Ruban et bobine DOSEMI

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Code commande RS:
427-757
Référence fabricant:
DM400S12TDRB
Marque:
Starpower
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Marque

Starpower

Type de produit

Mosfet SiC sans diode

Type de canal

Commutateur simple

Courant continu de Drain maximum Id

64A

Tension Drain Source maximum Vds

1200V

Série

DOSEMI

Type de Boitier

Ruban et bobine

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

4

Résistance Drain Source maximum Rds

55.2mΩ

Mode de canal

N

Dissipation de puissance maximum Pd

268W

Tension directe Vf

3.85V

Température minimum de fonctionnement

-40°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

86.6nC

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN
Le MOSFET Starpower Power Discrete fournit une perte de conduction ultra-faible ainsi qu'une faible perte de commutation. Ils sont conçus pour les applications telles que les véhicules hybrides et électriques.

MOSFET de puissance SiC

Faible RDS(on)

Le boîtier à faible inductance évite les oscillations

RoHS

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