MOSFET canal N STMicroelectronics 20 A 1200 V Enrichissement, 3 broches, H2PAK-2 SiC MOSFET
- Code commande RS:
- 201-4416
- Référence fabricant:
- SCT20N120H
- Marque:
- STMicroelectronics
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 unité)*
10,40 €
HT
12,48 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 17 mai 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 9 | 10,40 € |
| 10 - 499 | 10,10 € |
| 500 - 999 | 9,98 € |
| 1000 + | 9,86 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 201-4416
- Référence fabricant:
- SCT20N120H
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 20A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 1200V | |
| Type de Boitier | H2PAK-2 | |
| Série | SiC MOSFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 203mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 150W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 45nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 25V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Hauteur | 10.4mm | |
| Longueur | 15.8mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 4.7mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 20A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 1200V | ||
Type de Boitier H2PAK-2 | ||
Série SiC MOSFET | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 203mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 150W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 45nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 25V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Hauteur 10.4mm | ||
Longueur 15.8mm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 4.7mm | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor MOSFET de puissance en carbure de silicium STMicroelectronics est produit en exploitant les propriétés Advanced et innovante des matériaux à large bande passante. Le matériau SiC offre des propriétés thermiques remarquables.
Variation très étroite de la résistance à l'état passant par max.
Très haute capacité de température de jonction de fonctionnement
Diode de corps intrinsèque très rapide et robuste
Capacité faible
Nos clients ont également consulté
- MOSFET N STMicroelectronics 20 A 1200 V Enrichissement H2PAK-2 SiC MOSFET
- MOSFET N STMicroelectronics 33 A 1200 V Enrichissement H2PAK SCTH40N
- MOSFET N STMicroelectronics 12 A 1200 V Enrichissement H2PAK STB37N60
- MOSFET N STMicroelectronics 30 A 1200 V Enrichissement H2PAK-7 SCT
- canal Type N STMicroelectronics 55 A 650 V Enrichissement H2PAK-7 STPOWER Gen3 SiC MOSFET Non
- MOSFET N STMicroelectronics 55 A 1200 V Enrichissement H2PAK-7 SCT025H120G3AG AEC-Q101
- MOSFET canal Type N STMicroelectronics 60 A 1200 V Enrichissement H2PAK-7
- MOSFET N STMicroelectronics 1.5 A 1200 V Enrichissement H2PAK-2 MDmesh K5