MOSFET canal N STMicroelectronics 20 A 1200 V Enrichissement, 3 broches, H2PAK-2 SiC MOSFET

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Code commande RS:
201-4415
Référence fabricant:
SCT20N120H
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

20A

Tension Drain Source maximum Vds

1200V

Type de Boitier

H2PAK-2

Série

SiC MOSFET

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

203mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

150W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

45nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

25V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

175°C

Longueur

15.8mm

Normes/homologations

No

Largeur

4.7mm

Hauteur

10.4mm

Standard automobile

Non

Le transistor MOSFET de puissance en carbure de silicium STMicroelectronics est produit en exploitant les propriétés Advanced et innovante des matériaux à large bande passante. Le matériau SiC offre des propriétés thermiques remarquables.

Variation très étroite de la résistance à l'état passant par max.

Très haute capacité de température de jonction de fonctionnement

Diode de corps intrinsèque très rapide et robuste

Capacité faible

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