MOSFET canal N STMicroelectronics 33 A 1.2 kV Enrichissement, 7 broches, H2PAK SCTH40N
- Code commande RS:
- 219-4221
- Référence fabricant:
- SCTH40N120G2V-7
- Marque:
- STMicroelectronics
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 219-4221
- Référence fabricant:
- SCTH40N120G2V-7
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 33A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 1.2kV | |
| Type de Boitier | H2PAK | |
| Série | SCTH40N | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 7 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 105mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 250W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 22V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 61nC | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Hauteur | 15.25mm | |
| Largeur | 4.8mm | |
| Longueur | 10.4mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 33A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 1.2kV | ||
Type de Boitier H2PAK | ||
Série SCTH40N | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 7 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 105mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 250W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 22V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 61nC | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Hauteur 15.25mm | ||
Largeur 4.8mm | ||
Longueur 10.4mm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
Le dispositif MOSFET de puissance en carbure de silicium STMicroelectronics a été développé à l'aide de la technologie Advanced and innovante de MOSFET SIC de 2e génération de ST. L'appareil est doté d'une résistance à l'état passant remarquablement faible par zone d'unité et de très bonnes performances de commutation. La variation de perte de commutation est presque indépendante de la température de jonction.
Certifié AEC-Q101
Très haute capacité de température de jonction de fonctionnement (TJ = 175 °C)
Diode de corps intrinsèque très rapide et robuste
Très faible charge de grille et capacité d'entrée
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