MOSFETs simples canal FET DMOS à canal N Microchip 350 mA 9 V Mode d'épuisement, 5 broches, SOT-23-5 LND150
- Code commande RS:
- 599-150
- Référence fabricant:
- LND150N3-G-P003
- Marque:
- Microchip
Sous-total (1 bobine de 2000 unités)*
1 238,00 €
HT
1 486,00 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 2000 + | 0,619 € | 1 238,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 599-150
- Référence fabricant:
- LND150N3-G-P003
- Marque:
- Microchip
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Microchip | |
| Type de produit | MOSFETs simples | |
| Type de canal | FET DMOS à canal N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 350mA | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 9V | |
| Série | LND150 | |
| Type de Boitier | SOT-23-5 | |
| Type de montage | Surface | |
| Nombre de broches | 5 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 1.4Ω | |
| Mode de canal | Mode d'épuisement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 360mW | |
| Température minimum de fonctionnement | -25°C | |
| Tension directe Vf | 1.8V | |
| Température d'utilisation maximum | 125°C | |
| Longueur | 3.05mm | |
| Hauteur | 1.3mm | |
| Normes/homologations | ISO/TS‑16949, RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Microchip | ||
Type de produit MOSFETs simples | ||
Type de canal FET DMOS à canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 350mA | ||
Tension Drain Source maximum Vds 9V | ||
Série LND150 | ||
Type de Boitier SOT-23-5 | ||
Type de montage Surface | ||
Nombre de broches 5 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 1.4Ω | ||
Mode de canal Mode d'épuisement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 360mW | ||
Température minimum de fonctionnement -25°C | ||
Tension directe Vf 1.8V | ||
Température d'utilisation maximum 125°C | ||
Longueur 3.05mm | ||
Hauteur 1.3mm | ||
Normes/homologations ISO/TS‑16949, RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor à mode d'épuisement de canal N haute tension (normalement sous tension) de Microchip utilise la technologie DMOS latérale. La porte est protégée contre les décharges électrostatiques. Le LND150 est idéal pour les applications haute tension dans les domaines des commutateurs normalement sous tension, des sources de courant constant de précision, de la génération de rampe de tension et de l'amplification.
Absence de claquage secondaire
Faible consommation d'énergie requise
Facilité de mise en parallèle
Excellente stabilité thermique
Diode de drain de source intégrée
Impédance d'entrée élevée et CISS faible
Protection de grille ESD
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