MOSFETs simples canal FET DMOS à canal N Microchip 350 mA 9 V Mode d'épuisement, 5 broches, SOT-23-5 LND01
- Code commande RS:
- 598-897
- Référence fabricant:
- LND01K1-G
- Marque:
- Microchip
Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*
1 281,00 €
HT
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,427 € | 1 281,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 598-897
- Référence fabricant:
- LND01K1-G
- Marque:
- Microchip
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Microchip | |
| Type de produit | MOSFETs simples | |
| Type de canal | FET DMOS à canal N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 350mA | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 9V | |
| Type de Boitier | SOT-23-5 | |
| Série | LND01 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 5 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 1.4Ω | |
| Mode de canal | Mode d'épuisement | |
| Tension directe Vf | 1.8V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 12V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -25°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 360mW | |
| Température d'utilisation maximum | 125°C | |
| Hauteur | 1.3mm | |
| Largeur | 1.75mm | |
| Normes/homologations | ISO/TS‑16949, RoHS | |
| Longueur | 3.05mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Microchip | ||
Type de produit MOSFETs simples | ||
Type de canal FET DMOS à canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 350mA | ||
Tension Drain Source maximum Vds 9V | ||
Type de Boitier SOT-23-5 | ||
Série LND01 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 5 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 1.4Ω | ||
Mode de canal Mode d'épuisement | ||
Tension directe Vf 1.8V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 12V | ||
Température minimum de fonctionnemen -25°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 360mW | ||
Température d'utilisation maximum 125°C | ||
Hauteur 1.3mm | ||
Largeur 1.75mm | ||
Normes/homologations ISO/TS‑16949, RoHS | ||
Longueur 3.05mm | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor MOSFET à mode d'épuisement de Microchip est un transistor à faible seuil à mode d'épuisement (normalement sous tension) utilisant une structure DMOS latérale avancée et un processus de fabrication à porte de silicium éprouvé. Cette combinaison produit un dispositif doté des capacités de gestion de puissance des transistors bipolaires et de l'impédance d'entrée élevée ainsi que du coefficient de température positif inhérents aux dispositifs MOS. Caractéristique de toutes les structures MOS, ce dispositif est exempt d'emballement thermique et de claquage secondaire induit par la chaleur.
Faible résistance à l'état passant
Faible capacité d'entrée
Vitesses de commutation rapide
Impédance d'entrée et gain élevés
Faible consommation d'énergie requise
Facilité de mise en parallèle
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