MOSFETs simples canal FET DMOS à canal N Microchip 350 mA 500 V Mode d'épuisement, 3 broches, TO-252 (D-PAK-3) DN3545
- Code commande RS:
- 598-869
- Référence fabricant:
- DN3545N8-G
- Marque:
- Microchip
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1 784,00 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 2000 + | 0,892 € | 1 784,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 598-869
- Référence fabricant:
- DN3545N8-G
- Marque:
- Microchip
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Microchip | |
| Type de produit | MOSFETs simples | |
| Type de canal | FET DMOS à canal N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 350mA | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 500V | |
| Type de Boitier | TO-252 (D-PAK-3) | |
| Série | DN3545 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 10Ω | |
| Mode de canal | Mode d'épuisement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 2.5W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Tension directe Vf | 1.8V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS, ISO/TS‑16949 | |
| Largeur | 3mm | |
| Hauteur | 2.29mm | |
| Longueur | 4.4mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Microchip | ||
Type de produit MOSFETs simples | ||
Type de canal FET DMOS à canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 350mA | ||
Tension Drain Source maximum Vds 500V | ||
Type de Boitier TO-252 (D-PAK-3) | ||
Série DN3545 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 10Ω | ||
Mode de canal Mode d'épuisement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 2.5W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Tension directe Vf 1.8V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS, ISO/TS‑16949 | ||
Largeur 3mm | ||
Hauteur 2.29mm | ||
Longueur 4.4mm | ||
Standard automobile Non | ||
Les transistors à mode d'épuisement Microchip utilisent une structure DMOS verticale avancée et un processus de fabrication à porte de silicium éprouvé. Cette combinaison produit des dispositifs avec les capacités de gestion de l'alimentation des transistors bipolaires et avec l'impédance d'entrée élevée et le coefficient de température positif inhérents aux dispositifs MOS. Caractéristiques de toutes les structures MOS, ces dispositifs sont exempts de fuite thermique et de défaillance secondaire induite thermiquement. Les FET DMOS verticaux conviennent parfaitement à une large gamme d'applications de commutation et d'amplification pour lesquelles une tension de claquage élevée, une impédance d'entrée élevée, une faible capacité d'entrée et des vitesses de commutation rapides sont souhaitées.
Impédance d'entrée élevée
Faible capacité d'entrée
Vitesses de commutation rapide
Faible résistance à l'état passant
Absence de claquage secondaire
Faibles fuites à l'entrée et à la sortie
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