MOSFETs simples canal FET DMOS à canal N Microchip 350 mA 500 V Mode d'épuisement, 3 broches, TO-252 (D-PAK-3) DN2535
- Code commande RS:
- 598-063
- Référence fabricant:
- DN2535N5-G
- Marque:
- Microchip
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Unité | Prix par unité | La Boite* |
|---|---|---|
| 300 + | 1,524 € | 457,20 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 598-063
- Référence fabricant:
- DN2535N5-G
- Marque:
- Microchip
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Microchip | |
| Type de canal | FET DMOS à canal N | |
| Type de produit | MOSFETs simples | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 350mA | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 500V | |
| Type de Boitier | TO-252 (D-PAK-3) | |
| Série | DN2535 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 10Ω | |
| Mode de canal | Mode d'épuisement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 2.5W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 1.8V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 4.4mm | |
| Hauteur | 2.29mm | |
| Normes/homologations | RoHS, ISO/TS‑16949 | |
| Largeur | 3mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Microchip | ||
Type de canal FET DMOS à canal N | ||
Type de produit MOSFETs simples | ||
Courant continu de Drain maximum Id 350mA | ||
Tension Drain Source maximum Vds 500V | ||
Type de Boitier TO-252 (D-PAK-3) | ||
Série DN2535 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 10Ω | ||
Mode de canal Mode d'épuisement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 2.5W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 1.8V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 4.4mm | ||
Hauteur 2.29mm | ||
Normes/homologations RoHS, ISO/TS‑16949 | ||
Largeur 3mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le transistor à mode d'épuisement à faible seuil de Microchip utilise une structure DMOS verticale avancée et un processus de fabrication à porte de silicium éprouvé. Cette combinaison produit un dispositif doté des capacités de gestion de puissance des transistors bipolaires et de l'impédance d'entrée élevée ainsi que du coefficient de température positif inhérents aux dispositifs MOS. Caractéristique de toutes les structures MOS, ce dispositif est exempt d'emballement thermique et de claquage secondaire induit par la chaleur. Les FET DMOS verticaux conviennent parfaitement à une large gamme d'applications de commutation et d'amplification pour lesquelles une tension de claquage élevée, une impédance d'entrée élevée, une faible capacité d'entrée et des vitesses de commutation rapides sont souhaitées.
Impédance d'entrée élevée
Faible capacité d'entrée
Vitesses de commutation rapide
Faible résistance à l'état passant
Absence de claquage secondaire
Faibles fuites à l'entrée et à la sortie
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