MOSFETs simples canal N ROHM 36 A 100 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 RD3 AEC-Q101
- Code commande RS:
- 646-544
- Référence fabricant:
- RD3P04BBKHRBTL
- Marque:
- ROHM
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (10 unités, sur un ruban de 10)*
7,64 €
HT
9,17 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- Plus 90 unité(s) expédiée(s) à partir du 01 octobre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le ruban* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,764 € | 7,64 € |
| 100 - 490 | 0,672 € | 6,72 € |
| 500 - 990 | 0,604 € | 6,04 € |
| 1000 + | 0,478 € | 4,78 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 646-544
- Référence fabricant:
- RD3P04BBKHRBTL
- Marque:
- ROHM
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFETs simples | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 36A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 100V | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Série | RD3 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 30mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 53W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 9.1nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Hauteur | 2.3mm | |
| Longueur | 10.5mm | |
| Largeur | 6.8mm | |
| Normes/homologations | RoHS, AEC-Q101 | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFETs simples | ||
Courant continu de Drain maximum Id 36A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 100V | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Série RD3 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 30mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 53W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 9.1nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Hauteur 2.3mm | ||
Longueur 10.5mm | ||
Largeur 6.8mm | ||
Normes/homologations RoHS, AEC-Q101 | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Le transistor ROHM à effet de champ semi-conducteur à oxyde métallique et canal P d'une puissance de 100 volts et 36 ampères présente un revêtement sans plomb et il est conforme à la restriction des substances dangereuses. Il est testé à 100 % en avalanche.
Faible résistance à l'état passant
Certifié AEC-Q101
Nos clients ont également consulté
- MOSFETs simples N ROHM 60 V Enrichissement TO-252 RD3 AEC-Q101
- MOSFETs simples P ROHM 60 V Enrichissement TO-252 RD3 AEC-Q101
- MOSFET N ROHM 40 A 60 V Enrichissement TO-252 RD3 AEC-Q101
- MOSFET N ROHM 80 A 40 V Enrichissement TO-252 RD3 AEC-Q101
- MOSFET P ROHM 80 A 40 V Enrichissement TO-252 RD3 AEC-Q101
- MOSFETs simples N ROHM 100 V Enrichissement TO-252 (TL) AG194FPD3HRB AEC-Q101
- MOSFETs simples N ROHM -40 V Enrichissement TO-252 (TL) AG185FGD3HRB AEC-Q101
- MOSFETs simples N ROHM 60 V Enrichissement TO-252 (TL) RD3L08CBLHRB AEC-Q101