MOSFETs simples canal N ROHM 6 A 40 V Enrichissement, 3 broches, TSMT-3 RQ5 AEC-Q101

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Code commande RS:
646-556
Référence fabricant:
RQ5G060BGTCL
Marque:
ROHM
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Marque

ROHM

Type de canal

N

Type de produit

MOSFETs simples

Courant continu de Drain maximum Id

6A

Tension Drain Source maximum Vds

40V

Type de Boitier

TSMT-3

Série

RQ5

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

20.6mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Dissipation de puissance maximum Pd

1.0W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

10.6nC

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

RoHS

Largeur

3mm

Longueur

3mm

Hauteur

1mm

Standard automobile

AEC-Q101

Le transistor ROHM à effet de champ semi-conducteur à oxyde métallique et canal N, d'une puissance de 40 volts et 6 ampères se caractérise par une faible résistance à l'enclenchement, un petit boîtier monté en surface de type TSMT3 et un revêtement sans plomb. Il est conforme à la réglementation sur la restriction des substances dangereuses.

Sans halogène

Testé 100 % Rg et ISU

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