MOSFET canal N ROHM 2 A 20 V Enrichissement, 3 broches, TSMT RUR020N02
- Code commande RS:
- 124-6841
- Référence fabricant:
- RUR020N02TL
- Marque:
- ROHM
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Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 2A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 20V | |
| Type de Boitier | TSMT | |
| Série | RUR020N02 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 240mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 2nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 1W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -10V, +10V | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 950μm | |
| Longueur | 3mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 1.8mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 2A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 20V | ||
Type de Boitier TSMT | ||
Série RUR020N02 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 240mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 2nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 1W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -10V, +10V | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 950μm | ||
Longueur 3mm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 1.8mm | ||
Standard automobile Non | ||
Transistors MOSFET canal N, ROHM
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