MOSFET canal N ROHM 2 A 20 V Enrichissement, 3 broches, TSMT RUR020N02

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Code commande RS:
124-6841
Référence fabricant:
RUR020N02TL
Marque:
ROHM
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Marque

ROHM

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

2A

Tension Drain Source maximum Vds

20V

Série

RUR020N02

Type de Boitier

TSMT

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

240mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

2nC

Dissipation de puissance maximum Pd

1W

Tension directe Vf

1.2V

Tension maximale de source de la grille Vgs

-10V, +10V

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Largeur

1.8mm

Longueur

3mm

Hauteur

950μm

Standard automobile

Non

Transistors MOSFET canal N, ROHM


Transistors MOSFET, ROHM Semiconductor


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