MOSFET canal N ROHM 2 A 20 V Enrichissement, 3 broches, TSMT RUR020N02

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Code commande RS:
124-6841
Référence fabricant:
RUR020N02TL
Marque:
ROHM
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Marque

ROHM

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

2A

Tension Drain Source maximum Vds

20V

Type de Boitier

TSMT

Série

RUR020N02

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

240mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

2nC

Dissipation de puissance maximum Pd

1W

Tension directe Vf

1.2V

Tension maximale de source de la grille Vgs

-10V, +10V

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

950μm

Longueur

3mm

Largeur

1.8mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

Transistors MOSFET canal N, ROHM


Transistors MOSFET, ROHM Semiconductor


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