MOSFET 1 canal Type P Simple ROHM 250 mA 20 V Enrichissement, 3 broches, TSMT-3
- Code commande RS:
- 178-649
- Référence fabricant:
- RTU002P02T106
- Marque:
- ROHM
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 178-649
- Référence fabricant:
- RTU002P02T106
- Marque:
- ROHM
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type P | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 250mA | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 20V | |
| Type de Boitier | TSMT-3 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 1.5Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 12V, -12V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 200mW | |
| Configuration du transistor | Simple | |
| Hauteur | 850μm | |
| Longueur | 2.9mm | |
| Largeur | 1.6mm | |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type P | ||
Courant continu de Drain maximum Id 250mA | ||
Tension Drain Source maximum Vds 20V | ||
Type de Boitier TSMT-3 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 1.5Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 12V, -12V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 200mW | ||
Configuration du transistor Simple | ||
Hauteur 850μm | ||
Longueur 2.9mm | ||
Largeur 1.6mm | ||
Nombre d'éléments par circuit 1 | ||
- Pays d'origine :
- JP
Transistors MOSFET canal P, ROHM
Transistors MOSFET, ROHM Semiconductor
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