MOSFET P ROHM 2 A 20 V Enrichissement, 3 broches, TSMT RTR020P02
- Code commande RS:
- 124-6830
- Référence fabricant:
- RQ5C020TPTL
- Marque:
- ROHM
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 25 unités)*
10,33 €
HT
12,40 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 10 mars 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | 0,413 € | 10,33 € |
| 125 - 225 | 0,247 € | 6,18 € |
| 250 - 600 | 0,232 € | 5,80 € |
| 625 - 1225 | 0,23 € | 5,75 € |
| 1250 + | 0,228 € | 5,70 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 124-6830
- Référence fabricant:
- RQ5C020TPTL
- Marque:
- ROHM
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Type de canal | Type P | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 2A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 20V | |
| Série | RTR020P02 | |
| Type de Boitier | TSMT | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 250mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -12V, +12V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 1W | |
| Tension directe Vf | -1.2V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 4.9nC | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 2.9mm | |
| Hauteur | 850μm | |
| Largeur | 1.6mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Type de canal Type P | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 2A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 20V | ||
Série RTR020P02 | ||
Type de Boitier TSMT | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 250mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -12V, +12V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 1W | ||
Tension directe Vf -1.2V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 4.9nC | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 2.9mm | ||
Hauteur 850μm | ||
Largeur 1.6mm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
Transistors MOSFET canal P, ROHM
Transistors MOSFET, ROHM Semiconductor
Nos clients ont également consulté
- MOSFET P ROHM 3.5 A 20 V Enrichissement TSMT-3 RQ5C035BC
- MOSFET 1 canal Type P Simple ROHM 250 mA 20 V Enrichissement TSMT-3
- MOSFET P ROHM 2 A 45 V Enrichissement TSMT RQ5H020SP
- MOSFET P ROHM 4 A 30 V Enrichissement TSMT RRR040P03
- MOSFET P ROHM 5 A 30 V Enrichissement TSMT-6 RQ6E050AT
- MOSFET canal N ROHM 2 A 20 V Enrichissement TSMT RUR020N02
- MOSFET canal N ROHM 4 A 20 V Enrichissement TSMT RUR040N02
- MOSFET P ROHM 7 A 12 V Enrichissement TSMT-8 RQ1 AEC-Q101