MOSFET P ROHM 2 A 20 V Enrichissement, 3 broches, TSMT RTR020P02

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124-6830
Référence fabricant:
RQ5C020TPTL
Marque:
ROHM
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Marque

ROHM

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type P

Courant continu de Drain maximum Id

2A

Tension Drain Source maximum Vds

20V

Type de Boitier

TSMT

Série

RTR020P02

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

250mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

-1.2V

Tension maximale de source de la grille Vgs

-12V, +12V

Dissipation de puissance maximum Pd

1W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

4.9nC

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Longueur

2.9mm

Hauteur

850μm

Largeur

1.6mm

Standard automobile

Non

Transistors MOSFET canal P, ROHM


Transistors MOSFET, ROHM Semiconductor


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