MOSFETs simples P Microchip 280 mA 80 V Enrichissement, 3 broches, TO-92 VP0808

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Code commande RS:
649-535
Référence fabricant:
VP0808L-G
Marque:
Microchip
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Marque

Microchip

Type de canal

Type P

Type de produit

MOSFETs simples

Courant continu de Drain maximum Id

280mA

Tension Drain Source maximum Vds

80V

Type de Boitier

TO-92

Série

VP0808

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

5Ω

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

1W

Tension maximale de source de la grille Vgs

30V

Tension directe Vf

1.2V

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

80μm

Longueur

500μm

Normes/homologations

RoHS Compliant

Standard automobile

Non

Le transistor en mode d'amélioration (normalement désactivé) de Microchip utilise une structure DMOS verticale et un procédé de fabrication à grille de silicium éprouvé. Cette combinaison produit un dispositif doté des capacités de gestion de puissance des transistors bipolaires et de l'impédance d'entrée élevée ainsi que du coefficient de température positif inhérents aux dispositifs MOS. Caractéristique de toutes les structures MOS, ce dispositif est exempt d'emballement thermique et de claquage secondaire induit par la chaleur. Les FET DMOS verticaux conviennent parfaitement à une large gamme d'applications de commutation et d'amplification pour lesquelles une tension à seuil très bas, une tension de claquage élevée, une impédance d'entrée élevée, une faible capacité d'entrée et des vitesses de commutation élevées sont souhaitées.

Absence de claquage secondaire

Faible consommation d'énergie requise

Facilité de mise en parallèle

Faible CISS et vitesses de commutation rapides

Excellente stabilité thermique

Diode source-drain intégrale

Impédance d'entrée et gain élevés

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