MOSFET de puissance canal N Vishay 31 A 600 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAK EF
- Code commande RS:
- 653-082
- Référence fabricant:
- SIHR120N60EF-T1GE3
- Marque:
- Vishay
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- 653-082
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- SIHR120N60EF-T1GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | MOSFET de puissance | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 31A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 600V | |
| Type de Boitier | PowerPAK | |
| Série | EF | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.125Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 45nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 278W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Largeur | 8mm | |
| Longueur | 10.42mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit MOSFET de puissance | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 31A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 600V | ||
Type de Boitier PowerPAK | ||
Série EF | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.125Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 45nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 278W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Largeur 8mm | ||
Longueur 10.42mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Transistor MOSFET de puissance série EF de Vishay, tension de source de drain de 600 V, courant de drain continu maximum de 31 A - SIHR120N60EF-T1GE3
Ce MOSFET de puissance est un transistor à canal N haute tension conçu pour les fonctions de commutation et de conversion de puissance dans les systèmes industriels et électroniques. Il fonctionne comme un dispositif en mode d'amélioration adapté aux applications nécessitant une manipulation robuste à haute tension, une commande de grille rapide et un montage en surface.
Caractéristiques et avantages :
• La valeur nominale de 600 V permet des applications de commutation haute tension • Le courant de drainage continu de 31 A permet une gestion substantielle de la charge • La résistance à l'état passant de 0,125 Ω réduit les pertes de conduction • La charge de grille typique de 45 nC permet un comportement de commutation prévisible • La dissipation de puissance de 278 W permet un fonctionnement à haute puissance • La plage de -55 à 150 °C prend en charge un large éventail d'environnements thermiques
Applications
• Adapté aux SMPS haute tension et aux alimentations • Idéal pour les entraînements de moteur et les inverseurs industriels • Utilisé pour la commutation de charge inductive dans les systèmes d'automatisation • Peut être utilisé pour les convertisseurs c. c. - c. c. haute tension • Convient aux étapes de puissance dans les commandes de soudage et de chauffage
Quel boîtier et quelle forme de montage utilise-t-il pour l'assemblage de circuits imprimés?
Il est fourni dans un boîtier à montage en surface PowerPAK avec une configuration à 8 broches adaptée au placement automatisé.
Quelles sont les limites de tension de grille que les concepteurs doivent respecter?
La tension nominale maximale de la grille à la source est de 30 V, de sorte que les circuits d'entraînement de grille doivent rester dans cette limite.
Comment la gestion thermique doit-elle être abordée pour les tâches à haute puissance?
La conception doit tenir compte de la capacité de dissipation de 278 W avec le cuivre de circuit imprimé, les vias thermiques ou le dissipateur thermique appropriés pour maintenir les températures de jonction dans les limites.
Quelle tension drain-source maximale peut-on attendre pendant le fonctionnement?
Le dispositif est conçu pour résister jusqu'à 600 V entre le drain et la source dans des conditions spécifiées.
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