MOSFETs simples canal N Vishay 42.8 A 80 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAK SISS5812DN
- Code commande RS:
- 653-133
- Référence fabricant:
- SISS5812DN-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Sous-total (1 ruban de 1 unité)*
1,03 €
HT
1,24 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
- 6 000 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Ruban(s) | le ruban |
|---|---|
| 1 - 24 | 1,03 € |
| 25 - 99 | 1,02 € |
| 100 - 499 | 0,98 € |
| 500 - 999 | 0,84 € |
| 1000 + | 0,79 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 653-133
- Référence fabricant:
- SISS5812DN-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFETs simples | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 42.8A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 80V | |
| Type de Boitier | PowerPAK | |
| Série | SISS5812DN | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.0135Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 10nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 44.6W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 3.4mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 3.4mm | |
| Hauteur | 0.83mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFETs simples | ||
Courant continu de Drain maximum Id 42.8A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 80V | ||
Type de Boitier PowerPAK | ||
Série SISS5812DN | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.0135Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 10nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 44.6W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 3.4mm | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 3.4mm | ||
Hauteur 0.83mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Nos clients ont également consulté
- MOSFETs simples N Vishay 42.8 A 80 V Enrichissement PowerPAK SISS5812DN
- MOSFET N Vishay 30 A 80 V Enrichissement PowerPAK 1212 ThunderFET
- MOSFET N Vishay 54.7 A 80 V Enrichissement PowerPAK 1212 SiSS30ADN
- MOSFET N Vishay 63 A 80 V Enrichissement PowerPAK 1212 SiSS32ADN
- MOSFET N Vishay 55.5 A 80 V Enrichissement PowerPAK 1212 SiSS30LDN
- MOSFET N Vishay 33.7 A 80 V Enrichissement PowerPAK 1212 SiS128LDN
- MOSFET N Vishay 45.1 A 80 V Enrichissement PowerPAK 1212 SiS126DN
- MOSFET N Vishay 42.8 A 60 V Épuisement PowerPAK SO-8 AEC-Q101
