MOSFETs simples canal N Vishay 42.8 A 80 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAK SISS5812DN

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Code commande RS:
653-133
Référence fabricant:
SISS5812DN-T1-GE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de canal

N

Type de produit

MOSFETs simples

Courant continu de Drain maximum Id

42.8A

Tension Drain Source maximum Vds

80V

Type de Boitier

PowerPAK

Série

SISS5812DN

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

0.0135Ω

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

10nC

Dissipation de puissance maximum Pd

44.6W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

3.4mm

Normes/homologations

No

Longueur

3.4mm

Hauteur

0.83mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN
Le transistor MOSFET de puissance à canal N TrenchFET Gen V de Vishay est homologué pour une tension de drain-source de 80 V. Emballé dans un PowerPAK 1212-8S compact, il est idéal pour les solutions d'alimentation de serveur AI, les convertisseurs c.c./c.c. et la commutation de charge.

Sans plomb

Sans halogène

Conformité RoHS

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