MOSFETs simples canal N Vishay 150 A 60 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 SUP50010EL
- Code commande RS:
- 653-153
- Référence fabricant:
- SUP50010EL-GE3
- Marque:
- Vishay
Bénéficiez d'une remise sur les achats en gros
Ajoutez 10 de plus pour économiser 1,40 €
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 unité)*
5,11 €
HT
6,13 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- Plus 495 unité(s) expédiée(s) à partir du 16 novembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | Économie |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 5,11 € | - |
| 10 + | 4,97 € | 1,40 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 653-153
- Référence fabricant:
- SUP50010EL-GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFETs simples | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 150A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Type de Boitier | TO-220 | |
| Série | SUP50010EL | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.00173Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 375W | |
| Tension directe Vf | 1.5V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 192nC | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFETs simples | ||
Courant continu de Drain maximum Id 150A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Type de Boitier TO-220 | ||
Série SUP50010EL | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.00173Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 375W | ||
Tension directe Vf 1.5V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 192nC | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le transistor MOSFET de puissance à canal N TrenchFET Gen IV de Vishay est évalué pour une tension de drain-source de 60 V. Il est doté d'une très faible charge de drain de grille (Qgd) pour réduire les pertes de commutation et prend en charge la manipulation de courant élevé jusqu'à 150 A. Emballé dans un D2PAK, il est idéal pour les convertisseurs c.c./c.c., les entraînements de moteur, la gestion de la batterie et le redressement synchrone dans les alimentations.
Sans plomb
Sans halogène
Conformité RoHS
Nos clients ont également consulté
- MOSFETs simples canal N Vishay 150 A 60 V Enrichissement TO-220 SUP50010EL
- MOSFET canal N Vishay 150 A 80 V Enrichissement TO-220 SUP60020E
- MOSFET canal N Vishay 150 A 40 V Enrichissement TO-220 SUP40012EL
- MOSFET canal N Vishay 150 A 200 V Enrichissement TO-220 TrenchFET
- MOSFET canal N Infineon 35 A 150 V Enrichissement, TO-220 HEXFET
- MOSFET P Vishay 150 A 80 V Enrichissement TO-220 TrenchFET
- MOSFET canal N Vishay 14 A 650 V Enrichissement TO-220 E
- MOSFET canal N Vishay 5 A 850 V Enrichissement TO-220 E