MOSFETs simples P Vishay 6.9 A -40 V Enrichissement, 6 broches, PowerPAK SQ3419CEV AEC-Q101

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Code commande RS:
653-164
Référence fabricant:
SQ3427CEV-T1_GE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de canal

Type P

Type de produit

MOSFETs simples

Courant continu de Drain maximum Id

6.9A

Tension Drain Source maximum Vds

-40V

Série

SQ3419CEV

Type de Boitier

PowerPAK

Type de montage

Circuit imprimé

Nombre de broches

6

Résistance Drain Source maximum Rds

0.058Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

1.2V

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

5W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

11.3nC

Température d'utilisation maximum

175°C

Hauteur

1.1mm

Largeur

2.98mm

Longueur

3.1mm

Normes/homologations

Lead (Pb)-Free

Standard automobile

AEC-Q101

Le transistor MOSFET à canal P de qualité automobile de Vishay est conçu pour la commutation à haut rendement dans les systèmes automobiles compacts. Il prend en charge une tension de source de drain jusqu'à 40 V et fonctionne de manière fiable à des températures de jonction jusqu'à 175 °C. Emballé dans un format TSOP-6, il utilise la technologie TrenchFET pour des performances électriques et thermiques optimisées dans les conceptions à espace limité.

Homologué AEC Q101

Sans plomb

Sans halogène

Conformité RoHS

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