MOSFETs simples canal N ROHM 19 A 800 V Enrichissement, 3 broches, TO-247 R8019KNZ4

Le MOSFET à canal N de ROHM est conçu pour des performances à haut rendement dans les applications électroniques. Avec une tension Drain-Source maximale de 800 V et une capacité de courant de drain continu de 19 A, ce dispositif gère efficacement des charges de puissance importantes tout en maintenant une faible résistance à l'état passant. Conçu avec des capacités de commutation avancées, il offre des temps de réponse rapides essentiels pour un fonctionnement efficace du circuit. L'encapsulation dans un boîtier TO-247G garantit un montage simple et d'excellentes performances thermiques, ce qui le rend idéal pour la gestion de l'énergie dans tous les domaines, des systèmes industriels à l'électronique grand public.

Faible résistance à l'état passant de seulement 0,265 Ω, améliorant le rendement énergétique