MOSFETs simples canal N ROHM 80 A 60 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 (TL) RD3L08CBLHRB AEC-Q101
- Code commande RS:
- 687-440
- Référence fabricant:
- RD3L08CBLHRBTL
- Marque:
- ROHM
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| 200 - 998 | 0,785 € | 1,57 € |
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- Code commande RS:
- 687-440
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- Marque:
- ROHM
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFETs simples | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 80A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Type de Boitier | TO-252 (TL) | |
| Série | RD3L08CBLHRB | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 5.3mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 32nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 96W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS, AEC-Q101 | |
| Largeur | 6.8mm | |
| Longueur | 10.5mm | |
| Hauteur | 2.3mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFETs simples | ||
Courant continu de Drain maximum Id 80A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Type de Boitier TO-252 (TL) | ||
Série RD3L08CBLHRB | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 5.3mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 32nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 96W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS, AEC-Q101 | ||
Largeur 6.8mm | ||
Longueur 10.5mm | ||
Hauteur 2.3mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Le MOSFET de puissance à canal N de ROHM est conçu pour les applications exigeantes, offrant une excellente efficacité et une grande fiabilité. Avec une tension maximale drain-source de 60 V et un courant de drain continu de 80 A, ce dispositif est idéal pour les tâches de commutation et d'amplification dans l'automobile et l'électronique grand public. Sa faible résistance à l'état passant de seulement 5,3 mΩ maximise le rendement énergétique, tandis que sa construction robuste lui permet de résister aux environnements opérationnels difficiles, de répondre aux certifications AEC-Q101 et de fournir des tests d'avalanche à 100 % pour une sécurité accrue. Ce MOSFET représente une solution puissante pour les circuits avancés, alliant performances et normes de conformité strictes.
La faible résistance à l'état passant de 5,3 mΩ améliore considérablement le rendement énergétique
Prise en charge d'un courant de drainage continu jusqu'à 80 A pour des performances robustes dans des applications exigeantes
Testé à 100 % en avalanche pour garantir la stabilité et la fiabilité pendant le fonctionnement
Certifié AEC Q101, ce qui le rend adapté aux applications automobiles
La large plage de températures de fonctionnement de la jonction, de -55 °C à +175 °C, garantit des performances fiables dans diverses conditions
La résistance thermique intégrée du boîtier de jonction optimise les capacités de gestion de la puissance
Sans plomb et conforme à la directive RoHS, conforme aux normes environnementales modernes.
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