MOSFETs simples canal N ROHM 80 A 40 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 (TL) RD3G08DBKHRB AEC-Q101
- Code commande RS:
- 687-464
- Référence fabricant:
- RD3G08DBKHRBTL
- Marque:
- ROHM
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- 687-464
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- Marque:
- ROHM
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Type de produit | MOSFETs simples | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 80A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 40V | |
| Série | RD3G08DBKHRB | |
| Type de Boitier | TO-252 (TL) | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 4.1mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 28nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 76W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Longueur | 10.5mm | |
| Largeur | 6.8mm | |
| Normes/homologations | AEC-Q101, RoHS | |
| Hauteur | 2.3mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Type de produit MOSFETs simples | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 80A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 40V | ||
Série RD3G08DBKHRB | ||
Type de Boitier TO-252 (TL) | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 4.1mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 28nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 76W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Longueur 10.5mm | ||
Largeur 6.8mm | ||
Normes/homologations AEC-Q101, RoHS | ||
Hauteur 2.3mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Le MOSFET de puissance de ROHM est conçu pour les applications à haute performance exigeant une efficacité supérieure et une capacité de courant élevée. Conçu pour fonctionner à 40 V avec un courant de drain continu maximal de 80 A, ce MOSFET offre une fiabilité et des performances exceptionnelles dans diverses conditions de fonctionnement. En outre, sa faible résistance à l'état passant de 4,1 mΩ minimise les pertes d'énergie, garantissant des performances thermiques optimales et une dissipation de puissance atteignant 76 W, ce qui en fait un choix idéal pour les applications exigeantes dans les secteurs automobile et industriel.
Faible résistance à l'état passant pour une réduction des pertes d'énergie pendant le fonctionnement
Capacité de courant de drainage continu élevé de 80 A pour des performances robustes
Puissance dissipée nominale de 76 W pour un fonctionnement fiable dans les applications à haute puissance
Courant d'avalanche nominal de 30 A, garantissant la durabilité en cas de conditions transitoires
Qualification AEC Q101 pour la fiabilité dans les applications automobiles
Conforme à la directive RoHS avec un placage sans plomb, conforme aux normes environnementales
Comprend des spécifications d'emballage telles que le ruban gaufré pour une manipulation efficace
Plusieurs tensions nominales pour répondre à diverses conceptions de circuits
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