MOSFETs simples P ROHM 4.5 A 80 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 (TL) RD3N045AT AEC-Q101
- Code commande RS:
- 687-488
- Référence fabricant:
- RD3N045ATTL1
- Marque:
- ROHM
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- Code commande RS:
- 687-488
- Référence fabricant:
- RD3N045ATTL1
- Marque:
- ROHM
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Type de produit | MOSFETs simples | |
| Type de canal | Type P | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 4.5A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 80V | |
| Série | RD3N045AT | |
| Type de Boitier | TO-252 (TL) | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 650mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 5.9nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 17W | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Hauteur | 2.3mm | |
| Longueur | 10.5mm | |
| Normes/homologations | AEC-Q101, RoHS | |
| Largeur | 6.8mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Type de produit MOSFETs simples | ||
Type de canal Type P | ||
Courant continu de Drain maximum Id 4.5A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 80V | ||
Série RD3N045AT | ||
Type de Boitier TO-252 (TL) | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 650mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 5.9nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 17W | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Hauteur 2.3mm | ||
Longueur 10.5mm | ||
Normes/homologations AEC-Q101, RoHS | ||
Largeur 6.8mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Le MOSFET à canal P de ROHM est conçu pour une grande variété d'applications de puissance. Avec une tension nominale drain-source de -80 V et une capacité de courant de drain continu de -4,5 A, ce MOSFET offre d'excellentes performances électriques pour les environnements exigeants. Sa faible résistance à l'état passant de 650 mΩ maximise l'efficacité tout en minimisant la production de chaleur, contribuant ainsi à une fiabilité globale supérieure. Conforme à la directive RoHS et doté d'un boîtier TO-252 robuste, le RD3N045AT est idéal pour les entraînements de moteur et autres applications de commutation, garantissant un fonctionnement robuste dans des scénarios de puissance élevée. L'appareil est rigoureusement testé pour la fiabilité de la grille et ne contient pas d'halogène, ce qui favorise des pratiques respectueuses de l'environnement.
La faible résistance à l'état passant de 650 mΩ améliore l'efficacité et réduit les pertes de puissance
Capacités de gestion de puissance élevées avec une dissipation de puissance maximale de 17 W
Température de jonction maximale de 150 °C, garantissant la fiabilité dans des conditions difficiles
La capacité de courant de drain pulsé de ±9 A prend en charge les applications de charge transitoire
La tolérance de tension de la source de la grille de ±20 V permet des conceptions de circuits flexibles
Idéal pour les applications d'entraînement de moteur, améliorant les performances des moteurs électriques
La construction conforme à la directive RoHS favorise la durabilité environnementale
Testé pour une fiabilité de 100 % Rg et UIS, garantissant des performances robustes à long terme
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