MOSFET P DiodesZetex -10.3 A -60 V Enrichissement, 8 broches, PowerDI3333-8 DMP6023LFG AEC-Q101
- Code commande RS:
- 719-494
- Référence fabricant:
- DMP6023LFG-7
- Marque:
- DiodesZetex
Sous-total (1 bobine de 2000 unités)*
920,00 €
HT
1 100,00 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 14 janvier 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 2000 + | 0,46 € | 920,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 719-494
- Référence fabricant:
- DMP6023LFG-7
- Marque:
- DiodesZetex
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | DiodesZetex | |
| Type de canal | Canal P | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | -10.3A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | -60V | |
| Série | DMP6023LFG | |
| Type de Boitier | PowerDI3333-8 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 33mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 53.1nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -50°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Tension directe Vf | -1.2V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 2.1W | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 3.35mm | |
| Largeur | 3.35mm | |
| Hauteur | 850μm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque DiodesZetex | ||
Type de canal Canal P | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id -10.3A | ||
Tension Drain Source maximum Vds -60V | ||
Série DMP6023LFG | ||
Type de Boitier PowerDI3333-8 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 33mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 53.1nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -50°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Tension directe Vf -1.2V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 2.1W | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 3.35mm | ||
Largeur 3.35mm | ||
Hauteur 850μm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le MOSFET en mode d'amélioration de canal P de DiodesZetex, spécialement conçu pour fournir un rendement optimal dans les applications de gestion de l'alimentation. Ce dispositif est doté d'une résistance à l'état sous tension exceptionnellement faible, garantissant une perte de puissance minimale pendant le fonctionnement. Il est logé dans un boîtier compact POWERDI 3333-8, qui non seulement optimise la gestion thermique, mais réduit également considérablement l'empreinte sur les cartes de circuit imprimé, ce qui facilite des produits finaux plus petits et plus efficaces. Conçu avec des performances de commutation supérieures en tête, il répond aux exigences strictes des applications automobiles et industrielles en offrant fiabilité et durabilité, ce qui en fait un choix idéal pour les ingénieurs qui ont besoin de solutions efficaces de gestion de l'alimentation.
Le faible RDS(ON) garantit que les pertes d'état sous tension sont minimisées pour améliorer l'efficacité
Qualifié conformément aux normes AEC-Q101, garantissant la fiabilité dans les environnements exigeants
Maintient des performances de commutation supérieures pour une gestion efficace de l'alimentation
Prend en charge un courant de drainage continu de -7,7 A à +25 °C, pour une large gamme d'applications
Fourni avec plusieurs options d'emballage pour plus de flexibilité dans l'intégration de l'application
La faible résistance thermique de la jonction à l'environnement favorise une excellente dissipation de la chaleur
Idéal pour l'automobile et les applications à haute fiabilité, renforçant les performances et la sécurité
Nos clients ont également consulté
- MOSFET P DiodesZetex -10.3 A -60 V Enrichissement PowerDI3333-8 DMP6023LFG AEC-Q101
- MOSFET P DiodesZetex 8 A 40 V Enrichissement PowerDI3333 DMPH4029 AEC-Q101
- MOSFET P DiodesZetex 9 A 30 V Enrichissement PowerDI3333-8 AEC-Q101
- MOSFET P DiodesZetex 8.7 A 40 V Enrichissement PowerDI3333-8 AEC-Q101
- MOSFET P DiodesZetex 10.7 A 12 V Enrichissement PowerDI3333-8 AEC-Q101
- MOSFET P DiodesZetex 7.2 A 40 V Enrichissement PowerDI3333 DMP4025SFG AEC-Q101
- MOSFET P DiodesZetex 11 A 20 V Enrichissement PowerDI3333 DMP AEC-Q101
- MOSFET P DiodesZetex 17.5 A 20 V Enrichissement PowerDI3333 DMP AEC-Q101