MOSFET P DiodesZetex 9 A 30 V Enrichissement, 8 broches, PowerDI3333-8 AEC-Q101
- Code commande RS:
- 246-7529
- Référence fabricant:
- DMP3021SFVWQ-7
- Marque:
- DiodesZetex
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 246-7529
- Référence fabricant:
- DMP3021SFVWQ-7
- Marque:
- DiodesZetex
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | DiodesZetex | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type P | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 9A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Type de Boitier | PowerDI3333-8 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.025mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 1.73W | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 8V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Largeur | 3.4mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 3.4mm | |
| Hauteur | 850μm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque DiodesZetex | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type P | ||
Courant continu de Drain maximum Id 9A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Type de Boitier PowerDI3333-8 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.025mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 1.73W | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 8V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Largeur 3.4mm | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 3.4mm | ||
Hauteur 850μm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Les DiodesZetex sont conçues pour répondre aux exigences strictes des applications automobiles. Il s'agit d'un dispositif écologique et, totalement exempt de plomb, d'halogène et d'antimoine. Ce MOSFET est livré dans un boîtier powerDI3333-8. Il offre une commutation rapide et un haut rendement. Il offre un boîtier de petite taille, efficace sur le plan thermique et qui permet de fabriquer des produits finis de plus haute densité. Sa commutation inductive à 100% non bridée assure une application finale plus fiable et plus robuste. Il a une plage de température de travail de -55 °C à +150 °C.
La tension maximale drain-source est de 30 V et la tension maximale grille-source est de ±25 V. Il offre une faible résistance à l'état passant. Il présente une faible tension de seuil de grille Il offre une grille protégée contre les décharges électrostatiques.
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