MOSFET canal N DiodesZetex 0.31 A 50 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 BSS138K
- Code commande RS:
- 719-499
- Référence fabricant:
- BSS138K-13
- Marque:
- DiodesZetex
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 10000 + | 0,04 € | 400,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 719-499
- Référence fabricant:
- BSS138K-13
- Marque:
- DiodesZetex
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | DiodesZetex | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 0.31A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 50V | |
| Série | BSS138K | |
| Type de Boitier | SOT-23 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 3.5Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 0.95nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -50°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 0.54W | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 1.1mm | |
| Largeur | 2.5mm | |
| Longueur | 3mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque DiodesZetex | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 0.31A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 50V | ||
Série BSS138K | ||
Type de Boitier SOT-23 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 3.5Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 0.95nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -50°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 0.54W | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 1.1mm | ||
Largeur 2.5mm | ||
Longueur 3mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le MOSFET en mode d'amélioration de canal N de DiodesZetex est conçu pour fournir des performances supérieures dans les applications de gestion de l'alimentation à haut rendement. Avec une tension de drain-source maximale de 50 V et de faibles caractéristiques de résistance sous tension, ce dispositif garantit une perte de puissance minimale et un fonctionnement efficace. Incorporant une gamme de caractéristiques avancées, telles qu'une faible capacité d'entrée et des vitesses de commutation rapides, ce transistor MOSFET est particulièrement adapté pour une utilisation dans des solutions automatisées qui exigent une fiabilité et une conformité aux normes environnementales. Sa conception robuste, adaptée aux applications automobiles, en fait un choix polyvalent pour les systèmes électroniques modernes.
La faible résistance de mise sous tension garantit une gestion efficace de l'alimentation
La vitesse de commutation rapide facilite les applications haute fréquence
Conçu pour une fiabilité automobile conforme à la norme AEC-Q100
Conforme à la directive RoHS et sans halogène ni antimony, ce qui favorise les initiatives respectueuses de l'environnement
L'assemblage total sans plomb respecte les réglementations environnementales strictes
Le niveau de sensibilité à l'humidité de 1 garantit une fiabilité dans des conditions variables
Disponible en emballage ruban et bobine, simplifiant les processus de fabrication
La grille protégée ESD améliore la durabilité contre les décharges électriques
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