MOSFET P DiodesZetex -35 A -30 V Enrichissement, 8 broches, PowerDI3333-8 DMP3013SFV

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Code commande RS:
719-554
Référence fabricant:
DMP3013SFV-7
Marque:
DiodesZetex
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Marque

DiodesZetex

Type de canal

Canal P

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

-35A

Tension Drain Source maximum Vds

-30V

Série

DMP3013SFV

Type de Boitier

PowerDI3333-8

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

17mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

31W

Tension maximale de source de la grille Vgs

25V

Température minimum de fonctionnemen

-50°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

33.7nC

Tension directe Vf

-1.2V

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

3.4mm

Largeur

3.4mm

Hauteur

850μm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN
Le MOSFET en mode d'amélioration de canal P de DiodesZetex 30 V, conçu pour fournir des performances de commutation supérieures tout en minimisant la résistance à l'état activé. Son boîtier compact PowerDI3333-8 est thermiquement efficace, ce qui permet une plus grande densité dans les produits finaux. Ce transistor MOSFET est particulièrement adapté aux applications de gestion de l'alimentation à haut rendement, offrant des avantages significatifs en termes de flexibilité de conception et d'optimisation de l'espace.

Le facteur de forme réduit la surface de la carte de 33 % par rapport aux boîtiers SO-8

La conception thermiquement efficace permet une plus grande densité dans les produits finaux

La grille protégée ESD améliore la fiabilité dans les applications sensibles

Totalement sans plomb et entièrement conforme à la directive RoHS, garantissant la sécurité environnementale

Sans halogène et sans antimony, ce qui en fait un dispositif « vert »

Poids d'environ 0,03 gramme, ce qui facilite les conceptions légères

Conforme à la classification d'inflammabilité UL de 94 V-0 pour une sécurité améliorée

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