MOSFET de puissance canal N STMicroelectronics 268 A 60 V Enrichissement, 8 broches, PowerFLAT STL
- Code commande RS:
- 719-656
- Référence fabricant:
- STL270N6LF7
- Marque:
- STMicroelectronics
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 719-656
- Référence fabricant:
- STL270N6LF7
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET de puissance | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 268A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Type de Boitier | PowerFLAT | |
| Série | STL | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 1.3mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 187W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 145nC | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Largeur | 5mm | |
| Longueur | 6.1mm | |
| Hauteur | 1mm | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET de puissance | ||
Courant continu de Drain maximum Id 268A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Type de Boitier PowerFLAT | ||
Série STL | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 1.3mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 187W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 145nC | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Largeur 5mm | ||
Longueur 6.1mm | ||
Hauteur 1mm | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le MOSFET de puissance à canal N de STMicroelectronics utilise la technologie STripFET F7 avec une structure de grille en tranchée améliorée qui se traduit par une très faible résistance à l'état sous tension, tout en réduisant la capacité interne et la charge de grille pour une commutation plus rapide et plus efficace.
L'un des RDS(on) les plus bas du marché
Excellent FoM (figure du mérite)
Faible rapport Crss/Ciss pour une immunité EMI
Haute résistance aux avalanches
Niveau logique VGS(th)
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