MOSFET Canal N canal Type N STMicroelectronics 167 A 40 V Enrichissement, 8 broches, PowerFLAT STL Non
- Code commande RS:
- 366-222
- Référence fabricant:
- STL170N4LF8
- Marque:
- STMicroelectronics
Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*
2 067,00 €
HT
2 481,00 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,689 € | 2 067,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 366-222
- Référence fabricant:
- STL170N4LF8
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de canal | Type N | |
| Fréquence de fonctionnement | 1 MHz | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 167A | |
| Puissance de sortie | 111W | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 40V | |
| Type de Boitier | PowerFLAT | |
| Série | STL | |
| Type de montage | Surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Configuration du transistor | Canal N | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Hauteur | 1mm | |
| Normes/homologations | JEDEC (JESD51-5,-7) | |
| Largeur | 5.9 mm | |
| Longueur | 5.1mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de canal Type N | ||
Fréquence de fonctionnement 1 MHz | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 167A | ||
Puissance de sortie 111W | ||
Tension Drain Source maximum Vds 40V | ||
Type de Boitier PowerFLAT | ||
Série STL | ||
Type de montage Surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Configuration du transistor Canal N | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Hauteur 1mm | ||
Normes/homologations JEDEC (JESD51-5,-7) | ||
Largeur 5.9 mm | ||
Longueur 5.1mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le MOSFET de puissance à canal N de 40 V à mode d'amélioration de STMicroelectronics est conçu en technologie STripFET F8 avec une structure de grille à tranchée améliorée. Il garantit un facteur de mérite de pointe pour une très faible résistance à l'état passant tout en réduisant les capacités internes et la charge de grille pour permettre une commutation plus rapide et plus efficace.
Grade MSL1
Température maximale de jonction de fonctionnement de 175 °C
100 % testé contre les avalanches
Faible charge de grille Qg
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