MOSFET Canal N canal N STMicroelectronics 167 A 40 V Enrichissement, 8 broches, PowerFLAT STL Non
- Code commande RS:
- 366-223
- Référence fabricant:
- STL170N4LF8
- Marque:
- STMicroelectronics
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 unité)*
1,25 €
HT
1,50 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- Plus 2 973 unité(s) expédiée(s) à partir du 03 novembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 9 | 1,25 € |
| 10 - 99 | 1,13 € |
| 100 - 499 | 1,04 € |
| 500 - 999 | 0,96 € |
| 1000 + | 0,85 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 366-223
- Référence fabricant:
- STL170N4LF8
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Fréquence de fonctionnement | 1MHz | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 167A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 40V | |
| Puissance de sortie | 111W | |
| Type de Boitier | PowerFLAT | |
| Série | STL | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Configuration du transistor | Canal N | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Longueur | 5.1mm | |
| Largeur | 5.9mm | |
| Hauteur | 1mm | |
| Normes/homologations | JEDEC (JESD51-5, -7) | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Fréquence de fonctionnement 1MHz | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 167A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 40V | ||
Puissance de sortie 111W | ||
Type de Boitier PowerFLAT | ||
Série STL | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Configuration du transistor Canal N | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Longueur 5.1mm | ||
Largeur 5.9mm | ||
Hauteur 1mm | ||
Normes/homologations JEDEC (JESD51-5, -7) | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le MOSFET de puissance à canal N de 40 V à mode d'amélioration de STMicroelectronics est conçu en technologie STripFET F8 avec une structure de grille à tranchée améliorée. Il garantit un facteur de mérite de pointe pour une très faible résistance à l'état passant tout en réduisant les capacités internes et la charge de grille pour permettre une commutation plus rapide et plus efficace.
Grade MSL1
Température maximale de jonction de fonctionnement de 175 °C
100 % testé contre les avalanches
Faible charge de grille Qg
Nos clients ont également consulté
- MOSFET Canal N canal N STMicroelectronics 167 A 40 V Enrichissement PowerFLAT STL Non
- MOSFET canal N STMicroelectronics 167 A 40 V PowerFLAT STL AEC-Q101
- MOSFET de puissance canal N STMicroelectronics 144 A 40 V Enrichissement PowerFLAT Stl
- MOSFET de puissance canal N STMicroelectronics 268 A 60 V Enrichissement PowerFLAT STL
- MOSFET canal N STMicroelectronics 55 A 12 V Enrichissement PowerFLAT STL AEC-Q101
- Mosfet canal N canal N STMicroelectronics 154 A 40 V PowerFLAT STL
- MOSFET canal N STMicroelectronics 290 A 40 V PowerFLAT STL
- MOSFET canal N STMicroelectronics 304 A 40 V PowerFLAT STL