MOSFET canal N Vishay 47 A 600 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAK 10 x 12 SiH
- Code commande RS:
- 735-157
- Référence fabricant:
- SIHK045N60EF-T1GE3
- Marque:
- Vishay
Visuel non contractuel
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 735-157
- Référence fabricant:
- SIHK045N60EF-T1GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 47A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 600V | |
| Série | SiH | |
| Type de Boitier | PowerPAK 10 x 12 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.045Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | 600V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 278W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 70nC | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 13mm | |
| Hauteur | 2mm | |
| Largeur | 10mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 47A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 600V | ||
Série SiH | ||
Type de Boitier PowerPAK 10 x 12 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.045Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf 600V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 278W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 70nC | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 13mm | ||
Hauteur 2mm | ||
Largeur 10mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- IL
Le transistor MOSFET à canal N de Vishay est évalué pour une tension drain-source de 60 V, optimisé pour la commutation à haut rendement dans les convertisseurs DC/DC de serveur d'alimentation AI et les circuits de redressement synchrones. Il atteint une très faible résistance à l'état passant de 1,7 mΩ maximum à une commande de grille de 10 V pour des pertes de conduction minimales dans les applications à courant élevé
Courant de drainage continu de 94 A à TA = 25 °C
Charge de grille totale typique de 54,3 nC pour une commutation rapide
Plage de températures de jonction étendue de -55 à +175 °C
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