MOSFET P Vishay -267 A -20 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAK SO-8 TrenchFET
- Code commande RS:
- 735-200
- Référence fabricant:
- SIR5203DP-T1-UE3
- Marque:
- Vishay
Actuellement indisponible
Nous ne savons pas si cet article sera de nouveau disponible. RS a l'intention de le retirer de son assortiment sous peu.
- Code commande RS:
- 735-200
- Référence fabricant:
- SIR5203DP-T1-UE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Canal P | |
| Courant continu de Drain maximum Id | -267A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | -20V | |
| Série | TrenchFET | |
| Type de Boitier | PowerPAK SO-8 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.0018Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 104.1W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 340nC | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 1.12mm | |
| Longueur | 6.25mm | |
| Normes/homologations | RoHS Compliant | |
| Largeur | 5.26mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Canal P | ||
Courant continu de Drain maximum Id -267A | ||
Tension Drain Source maximum Vds -20V | ||
Série TrenchFET | ||
Type de Boitier PowerPAK SO-8 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.0018Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 104.1W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 340nC | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 1.12mm | ||
Longueur 6.25mm | ||
Normes/homologations RoHS Compliant | ||
Largeur 5.26mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le transistor MOSFET à canal P 20 V de Vishay est conçu pour une commutation efficace de la charge dans les conceptions électroniques compactes. Il combine des performances fiables avec une conformité écologique, garantissant un fonctionnement sûr et durable. Sa capacité à basse tension le rend idéal pour les applications grand public et automobiles modernes nécessitant des solutions de commutation fiables.
Garantit la conformité RoHS pour la sécurité environnementale
Construction sans halogène pour une utilisation plus sûre
Convient aux applications de commutateur de charge
Nos clients ont également consulté
- MOSFET P Vishay -153.2 A -20 V Enrichissement PowerPAK SO-8 TrenchFET
- MOSFET P Vishay -136.7 A -20 V Enrichissement PowerPAK SO-8 TrenchFET
- MOSFET canal N Vishay 201.5 A 40 V Enrichissement PowerPAK SO-8 TrenchFET
- MOSFET canal N Vishay 340 A 30 V Enrichissement PowerPAK SO-8 TrenchFET
- MOSFET canal N Vishay 126 A 40 V Enrichissement PowerPAK SO-8 TrenchFET
- MOSFET canal N Vishay 158 A 40 V Enrichissement PowerPAK SO-8 TrenchFET
- MOSFET canal N Vishay 101 A 40 V Enrichissement PowerPAK SO-8 TrenchFET
- MOSFET P Vishay -101.4 A -40 V Enrichissement PowerPAK TrenchFET
