MOSFET P Vishay -267 A -20 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAK SO-8 TrenchFET

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Code commande RS:
735-200
Référence fabricant:
SIR5203DP-T1-UE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de canal

Canal P

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

-267A

Tension Drain Source maximum Vds

-20V

Type de Boitier

PowerPAK SO-8

Série

TrenchFET

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

0.0018Ω

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

340nC

Dissipation de puissance maximum Pd

104.1W

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

1.12mm

Longueur

6.25mm

Largeur

5.26mm

Normes/homologations

RoHS Compliant

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN
Le transistor MOSFET à canal P 20 V de Vishay est conçu pour une commutation efficace de la charge dans les conceptions électroniques compactes. Il combine des performances fiables avec une conformité écologique, garantissant un fonctionnement sûr et durable. Sa capacité à basse tension le rend idéal pour les applications grand public et automobiles modernes nécessitant des solutions de commutation fiables.

Garantit la conformité RoHS pour la sécurité environnementale

Construction sans halogène pour une utilisation plus sûre

Convient aux applications de commutateur de charge

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