MOSFET P Vishay -136.7 A -20 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAK SO-8 TrenchFET

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Code commande RS:
735-202
Référence fabricant:
SIR5207DP-T1-UE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de canal

Canal P

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

-136.7A

Tension Drain Source maximum Vds

-20V

Série

TrenchFET

Type de Boitier

PowerPAK SO-8

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

0.0042Ω

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

12V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

139nC

Dissipation de puissance maximum Pd

65.7W

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

1.12mm

Normes/homologations

RoHS Compliant

Largeur

5.26mm

Longueur

6.25mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN

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