MOSFET canal N Vishay 58 A 40 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAK 1212-8SLW TrenchFET AEC-Q101

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Code commande RS:
735-210
Référence fabricant:
SQS136ENW-T1_GE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

58A

Tension Drain Source maximum Vds

40V

Série

TrenchFET

Type de Boitier

PowerPAK 1212-8SLW

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

0.013Ω

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

40W

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

16nC

Température d'utilisation maximum

175°C

Longueur

3.3mm

Largeur

3.3mm

Normes/homologations

RoHS Compliant

Standard automobile

AEC-Q101

Pays d'origine :
CN

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