MOSFET canal N Vishay 5.6 A 40 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 TrenchFET
- Code commande RS:
- 735-214
- Référence fabricant:
- SI2318HDS-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 unité)*
0,20 €
HT
0,24 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 23 août 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 24 | 0,20 € |
| 25 - 99 | 0,13 € |
| 100 + | 0,08 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 735-214
- Référence fabricant:
- SI2318HDS-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 5.6A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 40V | |
| Type de Boitier | SOT-23 | |
| Série | TrenchFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.051Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 2.1W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 5.8nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS Compliant | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 5.6A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 40V | ||
Type de Boitier SOT-23 | ||
Série TrenchFET | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.051Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 2.1W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 5.8nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS Compliant | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- US
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N Vishay 2.6 A 20 V Enrichissement SOT-23 TrenchFET
- MOSFET P Vishay -3.1 A -20 V Enrichissement SOT-23 TrenchFET
- MOSFET P Vishay 2.7 A 30 V Enrichissement SOT-23 TrenchFET
- MOSFET P Vishay 3 A 80 V Enrichissement SOT-23 TrenchFET
- MOSFET canal N Vishay 3.6 A 30 V Enrichissement SOT-23 TrenchFET
- MOSFET P Vishay 7.6 A 30 V Enrichissement SOT-23 TrenchFET
- MOSFET P Vishay 3.5 A 30 V Enrichissement SOT-23 TrenchFET
- MOSFET P Vishay 6 A 20 V Enrichissement SOT-23 TrenchFET