MOSFET P Vishay -3.1 A -20 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 TrenchFET
- Code commande RS:
- 735-212
- Référence fabricant:
- SI2301HDS-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
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- Code commande RS:
- 735-212
- Référence fabricant:
- SI2301HDS-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | Canal P | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | -3.1A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | -20V | |
| Type de Boitier | SOT-23 | |
| Série | TrenchFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.142Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 8V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 1.6W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 5.5nC | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS Compliant | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal Canal P | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id -3.1A | ||
Tension Drain Source maximum Vds -20V | ||
Type de Boitier SOT-23 | ||
Série TrenchFET | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.142Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 8V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 1.6W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 5.5nC | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS Compliant | ||
Standard automobile Non | ||
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