MOSFET P Vishay 7.6 A 30 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 TrenchFET
- Code commande RS:
- 180-7274
- Référence fabricant:
- SI2369DS-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 180-7274
- Référence fabricant:
- SI2369DS-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | Type P | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 7.6A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Série | TrenchFET | |
| Type de Boitier | SOT-23 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 40mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 1.6W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 11.4nC | |
| Tension directe Vf | -1.2V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 3.04mm | |
| Hauteur | 1.12mm | |
| Largeur | 2.64mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal Type P | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 7.6A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Série TrenchFET | ||
Type de Boitier SOT-23 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 40mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 1.6W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 11.4nC | ||
Tension directe Vf -1.2V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 3.04mm | ||
Hauteur 1.12mm | ||
Largeur 2.64mm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Transistor MOSFET de Vishay
Le transistor MOSFET à canal P à montage en surface de Vishay est un nouveau produit à âge avec une résistance drain-source de 29 Mohm à une tension de source de grille de 10 V. Il est doté d'une tension grille-source maximale de 20 V et d'une tension drain-source de 30 V. Le transistor MOSFET est doté d'une tension d'entraînement minimum et maximum de 4,5 V et 10 V respectivement. Il est doté d'un courant de drain continu de 7,6 A et d'une dissipation de puissance maximale de 2,5 W. Le transistor MOSFET a été optimisé pour réduire les pertes de commutation et de conduction. Le transistor MOSFET offre un excellent rendement ainsi qu'une longue durée de vie productive sans compromettre les performances ou la fonctionnalité.
Caractéristiques et avantages
• Sans halogène
Sans plomb (Pb)
Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -55 et 150 °C.
Transistor MOSFET de puissance TrenchFET
Applications
• Convertisseur c.c./c.c.
Pour l'informatique mobile
Commutateur de charge
Commutateur d'adaptateur pour ordinateur portable
Certifications
ANSI/ESD S20.20:2014
BS EN 61340-5-1:2007
• testé Rg
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