Références fabricant

MOSFET P Vishay Siliconix 3.6 A 40 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 TrenchFET

Code commande RS:: 178-3853
Référence fabricant:: Si2319DDS-T1-GE3
Marque:: Vishay Siliconix

MOSFET P Vishay Siliconix 3.6 A 40 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 TrenchFET

Sous-total (1 paquet de 50 unités)*

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Code commande RS:: 178-3853
Référence fabricant:: Si2319DDS-T1-GE3
Marque:: Vishay Siliconix

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay Siliconix
	Type de canal	Type P
	Type de produit	MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id	3.6A
	Tension Drain Source maximum Vds	40V
	Série	TrenchFET
	Type de Boitier	SOT-23
	Type de montage	Surface
	Nombre de broches	3
	Résistance Drain Source maximum Rds	100mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Température minimum de fonctionnement	-55°C
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	12.5nC
	Tension directe Vf	-1.2V
	Dissipation de puissance maximum Pd	1.7W
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Hauteur	1.02mm
	Longueur	3.04mm
	Normes/homologations	No
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque Vishay Siliconix
	Type de canal Type P
	Type de produit MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id 3.6A
	Tension Drain Source maximum Vds 40V
	Série TrenchFET
	Type de Boitier SOT-23
	Type de montage Surface
	Nombre de broches 3
	Résistance Drain Source maximum Rds 100mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Température minimum de fonctionnement -55°C
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 12.5nC
	Tension directe Vf -1.2V
	Dissipation de puissance maximum Pd 1.7W
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Hauteur 1.02mm
	Longueur 3.04mm
	Normes/homologations No
	Standard automobile Non

Datasheet

Statut RoHS : Exempté

Transistor MOSFET de Vishay

Le transistor MOSFET à canal P à montage en surface de Vishay est un nouveau produit à âge avec une tension source de drain de 40 V et une tension source de grille maximale de Il est doté d'une résistance drain-source de 75 mm à une tension de grille-source de 10 V. Il est doté d'une dissipation de puissance maximale de 1,7 W et d'un courant de drain continu de 3,6 A. La tension d'entraînement minimum et maximum pour ce transistor MOSFET est de 4,5 V et 10 V respectivement. Le transistor MOSFET a été optimisé pour réduire les pertes de commutation et de conduction. Le transistor MOSFET offre un excellent rendement ainsi qu'une longue durée de vie productive sans compromettre les performances ou la fonctionnalité.

Caractéristiques et avantages

• Sans halogène

Sans plomb (Pb)

Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -55 et 150 °C.

Transistor MOSFET de puissance TrenchFET

Applications

• Commutateur de batterie

Commutateur de charge

Commande d'entraînement de moteur

Certifications

ANSI/ESD S20.20:2014

BS EN 61340-5-1:2007

• testé Rg

Testé par l'ISU