- Code commande RS:
- 812-3139
- Référence fabricant:
- SI2365EDS-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
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- 812-3139
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- SI2365EDS-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Documentation technique
Législation et Conformité
- Pays d'origine :
- CN
Détail produit
Transistor MOSFET canal P, de 8 à 20 V, Vishay Semiconductor
Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
---|---|
Type de canal | P |
Courant continu de Drain maximum | 4,7 A |
Tension Drain Source maximum | 20 V |
Type de boîtier | SOT-23 |
Type de montage | CMS |
Nombre de broches | 3 |
Résistance Drain Source maximum | 67,5 mΩ |
Mode de canal | Enrichissement |
Tension de seuil minimale de la grille | 0.4V |
Dissipation de puissance maximum | 1,7 W |
Configuration du transistor | Simple |
Tension Grille Source maximum | -8 V, +8 V |
Longueur | 3.04mm |
Température d'utilisation maximum | +150 °C |
Charge de Grille type @ Vgs | 23,8 nC @ 8 V |
Matériau du transistor | Si |
Largeur | 1.4mm |
Nombre d'éléments par circuit | 1 |
Hauteur | 1.02mm |
Température de fonctionnement minimum | -50 °C |
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